QM03N65D N-Ch 650V Fast Switching MOSFETs [TO-252]

Общие
Техническое состояние	Новый (ая)
Гарантия	нет
Производитель	China
Транзистор
Тип транзистора	MOSFET
Полярность	N-канальный
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)	90 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток \|Uds\|	650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток \|Ugs\|	30 V
Пороговое напряжение включения \|Ugs(th)\|	5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока \|Id\|	3 A
Максимальная температура канала (Tj)	150 °C
Общий заряд затвора (Qg)
Время нарастания (tr)	18.2 ns
Выходная емкость (Cd)	38.5 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds)	4 Ohm
Тип корпуса	TO-252